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NAND方面,海力SK海力士计划推出16层堆叠的布远HBM 4以及8层、还有定制款的景产HBM4E。DRAM和NAND,他们公布的产品线路图涵盖了HBM、在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。线路图上出现了GDDR7-Next,SK海力士计划推出HBM5、
在2029至2031年,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,
DRAM市场方面,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、

在2026至2028年,所以应该是GDDR7的升级版,线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,而标准的上限是48Gbps,同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,12层和16层堆叠的HBM4E,
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,还有很大潜力可以挖掘,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。并不是GDDR8,
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